Питомий опір ламінату Gpo3

Досліджено методику та характеристики високоенергетичного інжекції ванадію 2100kev у напівізоляційний шар ламінату gpo3. Розподіл концентрації інжектованого шару моделювався за допомогою програмного забезпечення аналізу Монте-Карло. Використовуючи меза-структуру для gpo3, було виявлено, що питомий опір імплантованого шару ванадію тісно пов'язаний з початковим типом провідності шару gpo3 При кімнатній температурі питомий опір імплантованого ванадію p-типу та n-типу 4H SiC становить 1,6, відповідно × 10^10 і 7,6 × 10^6 Ом· см. Вимірюється питомий опір при різних температурах відпалу. Встановлено, що високотемпературний відпал сприяє активації заміщення ванадію та підвищує питомий опір. Через вплив дифузії ванадію питомий опір дещо зменшується після відпалу при 1700 градусах. Виміряно питомий опір імплантованого ванадію n-типу шару ванадію при 20 ~ 140 градусах. Розраховано, що енергія активації рівня акцептора ванадію в 4H SiC становить 0,78 ев